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电感耦合等离子体（ICP）干法刻蚀系统

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微芸电感耦合等离子体（ICP）干法刻蚀机是一款针对先进特色工艺节点应用的大规模量产型设备，其卓越性能亦可在各大高校及科研机构展示其科研属性。 8 英寸晶圆可向下兼容，适用于 Si 和 SiC 的刻蚀需求。设备具备优异刻蚀均匀性和快速刻蚀速率，精准的关键尺寸控制能力和良好的侧壁形貌控制能力，可确保高效、精确的刻蚀工艺结果。专业机械设计与优化的操作软件使该设备操作简便、安全，且设备运行稳定，重复性和均匀性佳。该系统可以根据客户要求灵活选择气体、射频、ESC 等各种配置，满足个性化生产与研究需求。
电容耦合等离子体（CCP/介质）干法刻蚀系统

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微芸电容耦合等离子体干法刻蚀机(CCP)是一款针对先进工艺节点应用的大规模量产型设备，其卓越性能亦可在各大高校及科研机构展示其科研属性。 设备8英寸向下兼容，适用于介质类刻蚀需求，设备具备优异的刻蚀均匀性、高选择比和高刻蚀速率，精准的关键尺寸控制能力和良好的侧壁形貌控制能力，可确保高效、精确的刻蚀工艺结果。专业机械设计与优化的操作软件使该设备操作简便、安全，且设备运行稳定，重复性和均匀性佳。该系统可以根据客户要求灵活选择气体、射频、ESC等各种配置，满足个性化生产与研究需求。
深硅等离子体刻蚀系统

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微芸深硅等离子体刻蚀机(DSE)是一款针对先进特色工艺节点应用的大规模量产型设备，其卓越性能亦可在各大高校及科研机构展示其科研属性。 设备8英寸向下兼容，适用于Bosch刻蚀工艺类需求。针对Bosch工艺的特点优化了刻蚀设备控制系统，采用快速响应硬件及软件配置，结合中心/边缘双路进气设计，具有较大的工艺窗口、高深宽比、高选择比以及良好的侧壁形貌和垂直度控制。 专业机械设计与优化的操作软件使该设备操作简便、安全，且设备运行稳定，重复性和均匀性佳。该系统可以根据客户要求灵活选择气体、射频、ESC等各种配置，满足个性化生产与研究需求。
ALE原子层离子刻蚀系统

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‌原子层刻蚀(ALE)是一种基于自限性反应的、以几个原子层为单位逐步去除材料的高精度加工技术，具有刻蚀损伤低、均匀性高和刻蚀界面平整等优势。 原子层刻蚀(ALE) 是利用卤化物前体对刻蚀材料先进行修饰改性，再通过离子轰击去除改性层，整个刻蚀过程不影响未改性区域，可以实现极低的刻蚀速率，实现高精度的刻蚀工艺。 微芸科技生产的原子层刻蚀系统是一款针对GaN器件应用的大规模量产型设备，其卓越性能亦可在各大高校及科研机构展示其科研属性。
600自动传输平台

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● 六边形真空传输腔，最多支持4个工艺腔。 ● 满足半导体标准的配方驱动及管理软件控制系统，符合SEMI标准。 ● 传输平台系统漏率≤2mTorr/min。 ● VCE/TM腔体抽真空到10mTorr≤180s。 ● 两个VCE单次VCE放片量≤25片
400自动传输平台

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● 盒式对盒式集簇式真空传输系统，最多支持3个工艺腔。 ● 满足半导体标准的配方驱动及管理软件控制系统，符合SEMI标准。通过闸板阀与传输腔室连接，晶圆在卡夹中放置状态自动扫描。 ● 在线式晶圆与对准机构，高可靠性真空晶圆传输机械手。 ● 传输配置独立的干泵，本底真空≤7.5mTorr。 ● 单个VCE单次VCE放片量≤25片
半自动传输平台

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● 带有信号反馈和可靠的碰撞保护功能。 ● 磁流体中间环节保证腔体内部真空压力与洁净。 ● 手动放取物料，边缘定位。 ● 运动范围：最大到达距离 310mm(距腔口外侧)。 ● 重复精度：±0.2mm。 ● 真空度：＜5x10-9 Torr。

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