原子层刻蚀(ALE)是一种基于自限性反应的、以几个原子层为单位逐步去除材料的高精度加工技术，具有刻蚀损伤低、均匀性高和刻蚀界面平整等优势。
原子层刻蚀(ALE) 是利用卤化物前体对刻蚀材料先进行修饰改性，再通过离子轰击去除改性层，整个刻蚀过程不影响未改性区域，可以实现极低的刻蚀速率，实现高精度的刻蚀工艺。
微芸科技生产的原子层刻蚀系统是一款针对GaN器件应用的大规模量产型设备，其卓越性能亦可在各大高校及科研机构展示其科研属性。
适用领域：功率器件(如GaN HEMT)、光电器件(如Micro LED)、MEMS器件
集成化设计和供应链成熟协调，系统运行稳定，成熟度高;
将刻蚀过程控制在原子层(约0.7nm)的级别，提供前所未有的刻蚀精度和深度控制能力;
通过使用自限制化学反应，每个刻蚀周期仅去除几层原子，避免过刻蚀，确保了刻蚀的均匀性和可重复性;
对底层和相邻材料的损伤较小，有利于保持器件性能和提高良率;
可实现大面积晶圆上的刻蚀深度一致性，典型均匀度可达到±2%以内。
