离子束刻蚀（Ion Beam Etching, IBE）利用高能离子流（通常是惰性气体离子，如Ar⁺）轰击材料表面，通过动量传递将材料原子或分子从表面溅射剥离，从而实现图案化刻蚀。
离子束刻蚀系统可以进行材料表面处理、形貌修饰、损伤去除，是微纳加工必备的加工手段。尤其在金属刻蚀和光电类材料刻蚀。广泛应用于副产物非挥发材料，光电材料的打开、材料表面处理和改性等应用。基于离子束刻蚀原理，通过物理轰击的方式去除被刻蚀材料，能够用于刻蚀磁性材料及难挥发的金属材料如Au,Ag,Pt,Ni等。
半导体制造：高精度硅刻蚀、化合物半导体（GaAs、InP）器件加工。
光电子器件：激光光栅、光纤耦合器的微纳结构制备。
MEMS/NEMS：微传感器、微执行器的三维结构成型。
适用于6/8英寸及以下（包含不规则形状）晶圆和样品的垂直和倾斜刻蚀。无加工材料限制，可刻蚀硅、氧化硅、氮化硅、碳化硅、金刚石、铌酸锂、金属、金属氧化物和超导等材料。
集成化设计和供应链成熟协调，系统运行稳定，成熟度高;
占地面积小，维护方便，可多腔体联用;
载台设计有液冷和背He冷却系统，测温热偶实时测量基片温度变化情况，闭环控制，调整算法融入整体热模型，改善温度控制响应速度和控制精度。
可升级为反应离子束刻蚀（RIBE）,耦合物理溅射与化学刻蚀的过程。
离子能量与束流密度：决定物理溅射贡献，影响刻蚀各向异性；
反应气体比例：调节化学反应速率；
衬底温度：控制化学反应平衡（温度升高通常加速挥发性产物脱附）。
RIBE凭借高精度和材料普适性，广泛应用于高端半导体、光电子器件和MEMS领域
RIBE主要应用场景：
1.半导体芯片制造
化合物半导体器件：GaN HEMT功率器件的栅极刻蚀、InP光电器件的光波导刻蚀。
2.光电子与光子器件
激光二极管（LD）：量子阱结构刻蚀
光子晶体：亚微米周期结构刻蚀
3.MEMS与微纳传感器
高精度结构加工：如压力传感器的SiN薄膜刻蚀
