第十五届中国国际纳米技术产业博览会——郝跃教授演讲

2025年10月22日，第十五届中国国际纳米技术产业博览会仪式中，西安电子科技大学教授、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）主任郝跃教授发布了第三代半导体装备国产化研发联盟成果，发布的三项关键成果将进一步打破国际垄断，有力支撑新能源汽车，5G基站等关键领域国产替代，助力“双碳”目标加快实现。

主要演讲：助力上海微芸科技有限公司在装备联盟的平台上完成了首台套ALE先进刻蚀设备与GaN低损伤刻蚀工艺技术的开发验证，刻蚀控制精度达到2个原子层、损伤小于5个原子层，突破了现有刻蚀技术的瓶颈工艺验证可以大幅度提升Micro-Led的发光效率，降低功率电子器件的漏电流。该装备和工艺技术可以广泛推广到集成电路，提升芯片的性能和可靠性;对发展“原子级制造技术”具有重要战略意义。